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三安集成于 2025年10月16日 通過(guò)美通社發(fā)布新聞稿《三安集成新一代砷化鎵射頻工藝 加速高頻應(yīng)用商業(yè)化》。請(qǐng)注意， 原文最后一段第一句里的“部署砷化鎵6寸晶圓產(chǎn)能每月21,000片”表述有誤，正確的表述應(yīng)為：“部署砷化鎵6寸晶圓產(chǎn)能每月18,000片”。特此更正，正確的全文如下：

三安集成新一代砷化鎵射頻工藝 加速高頻應(yīng)用商業(yè)化

廈門(mén)2025年10月16日 /美通社/ -- 5G-Advance自2023年末在Release-18中被首次引入后，持續(xù)牽引行業(yè)提升大規(guī)模MIMO、超低時(shí)延、海量鏈接等高階通信能力，為實(shí)現(xiàn)2030年的6G商業(yè)化規(guī)劃奠定基礎(chǔ)，也驅(qū)動(dòng)了射頻前端市場(chǎng)的發(fā)展。據(jù)Yole測(cè)算，射頻前端市場(chǎng)將在2030年增長(zhǎng)到697億美元。

演進(jìn)過(guò)程中催生的高性能模組和新頻段需求既是市場(chǎng)增長(zhǎng)點(diǎn)也是全新的挑戰(zhàn)。為減小尺寸、提高系統(tǒng)效率，射頻前端模組必須進(jìn)一步向高集成化發(fā)展，而集成化也同時(shí)帶來(lái)穩(wěn)定性和設(shè)計(jì)難度的考驗(yàn)；頻段不斷上探以及不同國(guó)家和地區(qū)的部署方案差異，也對(duì)射頻功放的輸出效率以及天線(xiàn)調(diào)諧提出更苛刻的要求。

射頻前端設(shè)計(jì)公司持續(xù)投入研發(fā)，在射頻架構(gòu)和模組設(shè)計(jì)方面嘗試攻克上述挑戰(zhàn)。三安集成（三安光電子公司）也通過(guò)在制造工藝端的迭代，為設(shè)計(jì)公司提供支持和解決方案。

在射頻芯片工藝中，砷化鎵射頻（GaAs RF）芯片工藝是關(guān)鍵技術(shù)之一，主流的工藝路線(xiàn)有HBT（雙極型異質(zhì)結(jié)三極管）與pHEMT（贗調(diào)高遷移率晶體管）。GaAs HBT以其獨(dú)特的垂直結(jié)構(gòu)，允許較小的基極電流引導(dǎo)較大的集電極電流，實(shí)現(xiàn)優(yōu)異的放大效率。

三安集成針對(duì)客戶(hù)需求，推出0.4μm Ledge GaAs HBT工藝H10HP56，實(shí)現(xiàn)更高的工作頻率，使器件在C波段范圍內(nèi)的高功率應(yīng)用需求，并著重在智能手機(jī)、Wi-Fi 7、衛(wèi)星通信等領(lǐng)域提供優(yōu)越的放大效率和頑健性。

• H10HP56采用三安集成自研InGaP材料外延，在實(shí)現(xiàn)較高電流增益的情況下，減小基極電阻，從而實(shí)現(xiàn)較高的工作頻率；

• 順應(yīng)射頻前端模組高集成度趨勢(shì)，該工藝全面適配銅柱倒裝工藝，實(shí)現(xiàn)更小的芯片封裝面積和散熱效率，提升系統(tǒng)的可靠性；

該工藝自2024年底推出，已完成在戰(zhàn)略客戶(hù)項(xiàng)目中的先導(dǎo)量產(chǎn)，預(yù)計(jì)于第四季度實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)，此舉將顯著加速高集成度旗艦級(jí)前端模組、衛(wèi)星通訊、車(chē)載無(wú)線(xiàn)TGU及無(wú)人機(jī)等新興終端應(yīng)用設(shè)備的商業(yè)化進(jìn)程。

三安集成在射頻前端芯片代工領(lǐng)域持續(xù)投入工藝研發(fā)，是極少數(shù)具備自主研發(fā)外延能力的代工廠，自研外延已覆蓋全線(xiàn)工藝，部署砷化鎵6寸晶圓產(chǎn)能每月18,000片，根據(jù)Morgan Stanley分析數(shù)據(jù)，2025年上半年，三安階段出貨已來(lái)到全球第二位。公司將持續(xù)為客戶(hù)帶來(lái)有競(jìng)爭(zhēng)力的代工解決方案，成為全球射頻供應(yīng)鏈發(fā)展的重要合作伙伴。