臺積電2nm研究重大突破，有希望2023年下半年投入生產(chǎn)
近年來，臺積電能夠在先進工藝和技術(shù)的道路上揚起塵土，擊敗許多承包工廠，其價值也在上升。
臺積電已于今年第一季度大規(guī)模投入生產(chǎn)，3nm 也在迅速發(fā)展。臺積電表示，將在 2021 年開始批量生產(chǎn) 3 納米，最終在 2022 年下半年開始批量生產(chǎn)。
另據(jù)報道，臺積電去年成立了一個研發(fā)團隊，以確定 2NM 工藝的研發(fā)路線，預(yù)計臺積電的 2NM 工藝可能在 2024 年大規(guī)模投產(chǎn)。
此前，一些消息人士表示，臺積電目前對 2023 年下半年 2NM 工藝的風(fēng)險試產(chǎn)和 2024 年大規(guī)模生產(chǎn)非常樂觀。風(fēng)險試產(chǎn)的好產(chǎn)品率預(yù)計不會低于 90%，但目前尚不清楚疫情是否會對他們的計劃產(chǎn)生影響。
然而，根據(jù)最新的報告，臺積電在 2NM 流程上取得了重大的內(nèi)部突破，盡管細節(jié)尚未披露，但樂觀的是，2NM 工藝有望在 2023 年下半年進行一次高風(fēng)險的試產(chǎn)，并在 2024 年進入批量生產(chǎn)階段。
臺積電還表示，2NM 的突破將再次擴大與競爭對手的差距，同時繼續(xù)推進摩爾定律，繼續(xù)推進 1nm 工藝的研究和開發(fā)。
臺積電預(yù)計蘋果、高通、NVIDIA、AMD 和其他客戶將率先采用其 2 NM 流程。
在技術(shù)方面，臺積電將放棄已存在多年的 FinFET(鰭狀場效應(yīng)晶體管），并將其擴展到多橋溝道場效應(yīng)晶體管（MBCFET)，即納米芯片（納米片）。這種技術(shù)可以大大改善電路控制，降低泄漏率。
然而，作為競爭對手，三星并沒有坐以待斃。事實上，自 2019 年以來，三星推出了一項 "半導(dǎo)體 2030 計劃"，希望到 2030 年投資 133 萬億韓元（約合 1 160 億美元），將自己發(fā)展成為世界上最大的半導(dǎo)體公司，其中先進的邏輯技術(shù)是關(guān)鍵之一，目標(biāo)是趕上中芯國際（SMIC)。
根據(jù)最新消息，三星半導(dǎo)體高管幾天前透露，三星計劃在 2022 年大規(guī)模生產(chǎn) 3nm 工藝，臺積電計劃在 2022 年下半年批量生產(chǎn) 3nm 工藝。這樣，三星和臺積電的先進工藝將再次站在同一條起跑線上。
